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LN60A01ES-LF-Z
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LN60A01ES-LF-Z技术资料
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LN60A01ES-LF-Z
FET - 阵列
制造厂商：
MPS芯源半导体
功能简述：
MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC
原厂封装：
8-SOIC
优势价格，LN60A01ES-LF-Z的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
LN60A01ES-LF-Z的技术资料下载
LN60A01ES-LF-Z的功能参数资料 - MPS提供
MPS芯源半导体型号: LN60A01ES-LF-Z
制造厂家名称: Monolithic Power Systems Inc.
功能总体简述: MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC
系列: -
FET 类型: 3 N 沟道，共栅
FET 功能: 标准
漏源极电压（Vdss）: 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 80mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 190 欧姆 @ 10mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: -
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: -
功率 - 最大值: 1.3W
安装类型: *
封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装: 8-SOIC
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